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影響因子：暫無
總被引頻次：
企業(yè)指南國內(nèi)外半導體技術與器件市場動態(tài)
a.關鍵詞：3-5個，以分號相隔。應盡量使用敘詞，無法用敘詞的則應根據(jù)文章內(nèi)容合理提取反映主題的自由詞。
b.基金資助，在論文首頁下方，以腳注注明基金類別和項目編號。
c.文稿務求內(nèi)容精煉，論點明確，論證嚴密，數(shù)據(jù)準確，文字簡練、規(guī)范，標點正確。
d.稿件首頁內(nèi)容包括題名，每位作者的姓名、學歷、技術職稱及工作單位，負責與編輯部聯(lián)系的通訊作者的姓名及其詳細通訊地址、電話、傳真和Email，并標明正文字數(shù)、表數(shù)及圖數(shù)。
e.參考文獻應以作者親自閱讀的近5年內(nèi)文獻為主，按引用的先后順序列出。
半導體信息雜志（雙月刊）知識豐富，內(nèi)容廣泛，貼近大眾，自1990年創(chuàng)刊以來廣受好評，注重視角的宏觀性、全局性和指導性，在業(yè)界形成了一定影響和良好口碑。
雜志被引次數(shù)
雜志發(fā)文量
2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020
本刊文章見刊的年份
在2012年的被引次數(shù)
被本刊自己引用的次數(shù)
被引次數(shù)的累積百分比
本刊文章見刊的年份
在2013年的被引次數(shù)
被本刊自己引用的次數(shù)
被引次數(shù)的累積百分比
本刊文章見刊的年份
在2014年的被引次數(shù)
被本刊自己引用的次數(shù)
被引次數(shù)的累積百分比
本刊文章見刊的年份
在2015年的被引次數(shù)
被本刊自己引用的次數(shù)
被引次數(shù)的累積百分比
本刊文章見刊的年份
在2016年的被引次數(shù)
被本刊自己引用的次數(shù)
被引次數(shù)的累積百分比
本刊文章見刊的年份
在2017年的被引次數(shù)
被本刊自己引用的次數(shù)
被引次數(shù)的累積百分比
本刊文章見刊的年份
在2018年的被引次數(shù)
被本刊自己引用的次數(shù)
被引次數(shù)的累積百分比
本刊文章見刊的年份
在2019年的被引次數(shù)
被本刊自己引用的次數(shù)
被引次數(shù)的累積百分比
本刊文章見刊的年份
在2020年的被引次數(shù)
被本刊自己引用的次數(shù)
被引次數(shù)的累積百分比
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意法半導體發(fā)起SiC攻勢挑戰(zhàn)英飛凌
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英飛凌加速推出CoolSiCTM MOSFET 1200V單管新產(chǎn)品
英飛凌聯(lián)合Schweizer開發(fā)出面向輕度混合動力汽車的芯片嵌入式功率MOSFET
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