一二三区在线播放国内精品自产拍,亚洲欧美久久夜夜综合网,亚洲福利国产精品合集在线看,香蕉亚洲一级国产欧美

  • 首頁 > 雙月刊雜志 > 期刊介紹(非官網(wǎng))

    Journal of Harbin Institute of Technology雜志

    評價信息: 加入收藏

    影響因子:0.36

    Journal of Harbin Institute of Technology雜志 省級期刊

    Journal of Harbin Institute of Technology(New Series)
    主要欄目:

    計算機科學機器人技術機械工程及自動化控制科學與工程電子與通信工程材料科學與工程能源科學與工程電氣工程等

    投稿咨詢 加急見刊

    Journal of Harbin Institute of Technology雜志簡介預計審稿時間:1-3個月

    稿件需知:

    a.主要來稿要求材料翔實、數(shù)據(jù)可靠、文字精煉、論點明確、論證合理,圖表簡明;結合作者自己在相應領域?qū)W科的貢獻,對學科發(fā)展有指導意義。

    b.范圍:包括但不限于材料科學與工程、計算機科學、機器人技術、機械工程及自動化、控制科學與工程、電子與通信工程、能源科學與工程、電氣工程、工程學等方面。

    c.文題應具體、確切,高度概括文章并應使用規(guī)范術語。文題一般不超過20個漢字,應避免使用非公知公用的外來語、縮寫詞、代號、符號等。

    d.正文中例句排列采用(1)(2)(3)……的形式(起三回一)。正文中涉及公元世紀、年代、年、月、日、時刻、計數(shù)等,均使用阿拉伯數(shù)字。

    e.摘要應在200字以內(nèi),要求文字通順、簡練,反映論文的主要觀點。用第三人稱敘述,不用“本文”、“作者”等為主語,可用“文章”等。

    f.結果要真實、準確地表達研究所獲得的數(shù)據(jù)。所有數(shù)據(jù)必須經(jīng)過統(tǒng)計學處理。表達形式可用文字、圖和表,但三者內(nèi)容不能重復。不要引證他人資料,不展開論證。

    g.行文中的注釋一律使用腳注,每頁連續(xù)編號,腳注符號用①②……,其位置在標點符號前(引號除外)文字的右上角。注釋應是對正文的附加解釋或者補充說明,僅是參考或引用的文獻等內(nèi)容一般不作為注釋出現(xiàn)。腳注請用宋體小5號。

    h.參考文獻列在文末,以中括號編碼,按照文中引文出現(xiàn)的先后順序排列,不單獨分中外文。同一文獻只出現(xiàn)一次。禁止將一部參考文獻標注多個序列號。英文參考文獻中的書名用斜體。

    i.來稿請附上作者簡介,包括作者真實姓名、出生年月、性別、籍貫、所屬機構、職稱學位、研究方向,同時請?zhí)峁┩ㄐ诺刂?、電話、電子郵箱地址,以便聯(lián)絡。

    j.論文為課題項目者,須在標題末尾處標注*(上標),并與當頁末尾*鏈接,*后寫明:本文系某年度某立項單位課題(課題編號:)階段性成果。

    雜志簡介:

    Journal of Harbin Institute of Technology(雙月刊)知識豐富,內(nèi)容廣泛,貼近大眾,自1994年創(chuàng)刊以來廣受好評,注重視角的宏觀性、全局性和指導性,在業(yè)界形成了一定影響和良好口碑。

    《Journal of Harbin Institute of Technology》的宗旨是為科技人員提供一個交流學術成果、加強學術聯(lián)系、促進學術繁榮與進步的學術平臺,涵蓋了材料科學與工程、環(huán)境科學與工程、航空航天科學與技術、機械工程、能源動力工程、化學與化工、生物醫(yī)學工程、計算機科學與技術、土木工程等學科領域。該雜志是一個擁有國際化視野的學術平臺,為國內(nèi)同行提供了與國際接軌、交流學術的機會,遵循學術規(guī)范,對稿件的審稿、刊發(fā)嚴格把關,保證文章的質(zhì)量和學術水平。雜志的主要讀者對象是科技研究人員、教育工作者、企事業(yè)單位科研人員以及對相關學科領域感興趣的廣大群眾,在國內(nèi)外學術界享有很高的聲譽,在同行中有廣泛的認可和影響。

    Journal of Harbin Institute of Technology歷史收錄

    問題答疑

    更多期刊

    免責聲明

    若用戶需要出版服務,請聯(lián)系出版商,地址:哈爾濱工業(yè)大學逸夫樓508室,郵編:150001。

    上一本 Journal of Meteorological Research
    下一本 Journal of Semiconductors