《IEEE Transactions On Electron Devices》(Ieee Transactions On Electron Devices)是一本以工程技術(shù)-工程：電子與電氣綜合研究為特色的國(guó)際期刊。該刊由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商創(chuàng)刊于1954年，刊期Monthly。該刊已被國(guó)際重要權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE收錄。期刊聚焦工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域的重點(diǎn)研究和前沿進(jìn)展，及時(shí)刊載和報(bào)道該領(lǐng)域的研究成果，致力于成為該領(lǐng)域同行進(jìn)行快速學(xué)術(shù)交流的信息窗口與平臺(tái)。該刊2023年影響因子為2.9。CiteScore指數(shù)值為5.8。
IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are also published and occasional special issues appear to present a collection of papers which treat particular areas in more depth and breadth.
《IEEE 電子器件學(xué)報(bào)》發(fā)表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設(shè)計(jì)、性能和可靠性有關(guān)的原創(chuàng)和重要貢獻(xiàn)，涉及絕緣體、金屬、有機(jī)材料、微等離子體、半導(dǎo)體、量子效應(yīng)結(jié)構(gòu)、真空器件和新興材料，應(yīng)用于生物電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)、計(jì)算、通信、顯示器、微機(jī)電、成像、微致動(dòng)器、納米電子學(xué)、光電子學(xué)、光伏、電源 IC 和微傳感器。還發(fā)表了關(guān)于這些主題的教程和評(píng)論論文，偶爾還會(huì)出版專(zhuān)刊，介紹一系列更深入、更廣泛地討論特定領(lǐng)域的論文。
《Ieee Transactions On Electron Devices》(IEEE Transactions On Electron Devices)編輯部通訊方式為IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。如果您需要協(xié)助投稿或潤(rùn)稿服務(wù)，您可以咨詢(xún)我們的客服老師。我們專(zhuān)注于期刊咨詢(xún)服務(wù)十年，熟悉發(fā)表政策，可為您提供一對(duì)一投稿指導(dǎo)，避免您在投稿時(shí)頻繁碰壁，節(jié)省您的寶貴時(shí)間，有效提升發(fā)表機(jī)率，確保SCI檢索（檢索不了全額退款）。我們視信譽(yù)為生命，多方面確保文章安全保密，在任何情況下都不會(huì)泄露您的個(gè)人信息或稿件內(nèi)容。
2023年12月升級(jí)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
2022年12月升級(jí)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月舊的升級(jí)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月基礎(chǔ)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月升級(jí)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
2020年12月舊的升級(jí)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 2區(qū) 2區(qū) | 是 | 否 |
基礎(chǔ)版：即2019年12月17日，正式發(fā)布的《2019年中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表》；將JCR中所有期刊分為13個(gè)大類(lèi)，期刊范圍只有SCI期刊。
升級(jí)版：即2020年1月13日，正式發(fā)布的《2019年中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表升級(jí)版（試行）》，升級(jí)版采用了改進(jìn)后的指標(biāo)方法體系對(duì)基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進(jìn)，影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素，也沒(méi)有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎(chǔ)版的13個(gè)學(xué)科擴(kuò)展至18個(gè)，科研評(píng)價(jià)將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開(kāi)始，分區(qū)表將只發(fā)布升級(jí)版結(jié)果，不再有基礎(chǔ)版和升級(jí)版之分，基礎(chǔ)版和升級(jí)版（試行）將過(guò)渡共存三年時(shí)間。
JCR分區(qū)等級(jí)：Q2
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 143 / 352 |
59.5% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 68 / 179 |
62.3% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 145 / 354 |
59.18% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 61 / 179 |
66.2% |
| Gold OA文章占比 | 研究類(lèi)文章占比 | 文章自引率 |
| 6.38% | 100.00% | 0.16... |
| 開(kāi)源占比 | 出版國(guó)人文章占比 | OA被引用占比 |
| 0.06... | 0.22 | 0.00... |
名詞解釋?zhuān)?b>JCR分區(qū)在學(xué)術(shù)期刊評(píng)價(jià)、科研成果展示、科研方向引導(dǎo)以及學(xué)術(shù)交流與合作等方面都具有重要的價(jià)值。通過(guò)對(duì)期刊影響因子的精確計(jì)算和細(xì)致劃分，JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學(xué)科領(lǐng)域內(nèi)的相對(duì)位置，從而幫助科研人員準(zhǔn)確識(shí)別出高質(zhì)量的學(xué)術(shù)期刊。
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數(shù) | ||||||||||||
| 5.8 | 0.785 | 1.223 |
|
名詞解釋?zhuān)?b>CiteScore是基于Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)的全新期刊評(píng)價(jià)體系。CiteScore 2021 的計(jì)算方式是期刊最近4年（含計(jì)算年度）的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數(shù)據(jù)庫(kù)Scopus，適用于所有連續(xù)出版物，而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過(guò) 26000 種期刊，比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認(rèn)為是影響因子最有力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
歷年中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
歷年IF值(影響因子)
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量
歷年自引數(shù)據(jù)
2019-2021年國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 國(guó)家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| CHINA MAINLAND | 741 |
| USA | 455 |
| India | 399 |
| Taiwan | 232 |
| South Korea | 181 |
| GERMANY (FED REP GER) | 149 |
| Japan | 123 |
| Italy | 111 |
| France | 110 |
| England | 100 |
2019-2021年機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... | 239 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHN... | 123 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 92 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 81 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 76 |
| IMEC | 74 |
| PEKING UNIVERSITY | 66 |
| XIDIAN UNIVERSITY | 58 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF... | 57 |
| NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY | 50 |
2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)
| 文章引用名稱(chēng) | 引用次數(shù) |
| Fully Inkjet-Printed Photodetector Using... | 42 |
| Effects of Postannealing on the Characte... | 37 |
| Critical Role of Interlayer in Hf0.5Zr0.... | 28 |
| Demonstration of Constant 8 W/mm Power D... | 27 |
| Ferroelectric FETs With 20-nm-Thick HfO2... | 22 |
| 2-D Layered Materials for Next-Generatio... | 20 |
| High Endurance Ferroelectric Hafnium Oxi... | 20 |
| BTI Analysis Tool-Modeling of NBTI DC, A... | 20 |
| Improved Switching Stability and the Eff... | 18 |
| Design and Investigation of Charge-Plasm... | 17 |
2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)
| 被引用期刊名稱(chēng) | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 3214 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 865 |
| JPN J APPL PHYS | 565 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 499 |
| SOLID STATE ELECTRON | 431 |
| IEEE ACCESS | 422 |
| SEMICOND SCI TECH | 412 |
| J APPL PHYS | 400 |
| APPL PHYS LETT | 388 |
| J COMPUT ELECTRON | 284 |
2019-2021年引用數(shù)據(jù)
| 引用期刊名稱(chēng) | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 3214 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1587 |
| APPL PHYS LETT | 1366 |
| J APPL PHYS | 866 |
| SOLID STATE ELECTRON | 384 |
| PHYS REV B | 305 |
| ADV MATER | 238 |
| MICROELECTRON RELIAB | 235 |
| NANO LETT | 209 |
| ACS APPL MATER INTER | 195 |
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：-
審稿周期：約Submission to first decision: 4 days; 較慢,6-12周
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：4.1
審稿周期：
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：7.4
審稿周期： 15 Weeks
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：5.1
審稿周期：
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：3.5
審稿周期：
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：6.3
審稿周期：
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