《微電子可靠性》(Microelectronics Reliability)是一本以工程技術(shù)-工程：電子與電氣綜合研究為特色的國(guó)際期刊。該刊由Elsevier Ltd出版商創(chuàng)刊于1964年，刊期Monthly。該刊已被國(guó)際重要權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE收錄。期刊聚焦工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域的重點(diǎn)研究和前沿進(jìn)展，及時(shí)刊載和報(bào)道該領(lǐng)域的研究成果，致力于成為該領(lǐng)域同行進(jìn)行快速學(xué)術(shù)交流的信息窗口與平臺(tái)。該刊2023年影響因子為1.6。CiteScore指數(shù)值為3.3。
Microelectronics Reliability, is dedicated to disseminating the latest research results and related information on the reliability of microelectronic devices, circuits and systems, from materials, process and manufacturing, to design, testing and operation. The coverage of the journal includes the following topics: measurement, understanding and analysis; evaluation and prediction; modelling and simulation; methodologies and mitigation. Papers which combine reliability with other important areas of microelectronics engineering, such as design, fabrication, integration, testing, and field operation will also be welcome, and practical papers reporting case studies in the field and specific application domains are particularly encouraged.
Most accepted papers will be published as Research Papers, describing significant advances and completed work. Papers reviewing important developing topics of general interest may be accepted for publication as Review Papers. Urgent communications of a more preliminary nature and short reports on completed practical work of current interest may be considered for publication as Research Notes. All contributions are subject to peer review by leading experts in the field.
《微電子可靠性》致力于傳播微電子設(shè)備、電路和系統(tǒng)可靠性的最新研究成果和相關(guān)信息，涵蓋材料、工藝和制造、設(shè)計(jì)、測(cè)試和操作等各個(gè)方面。該期刊涵蓋以下主題：測(cè)量、理解和分析；評(píng)估和預(yù)測(cè)；建模和仿真；方法和緩解。將可靠性與微電子工程其他重要領(lǐng)域（如設(shè)計(jì)、制造、集成、測(cè)試和現(xiàn)場(chǎng)操作）相結(jié)合的論文也將受到歡迎，并且特別鼓勵(lì)報(bào)告該領(lǐng)域和特定應(yīng)用領(lǐng)域案例研究的實(shí)踐論文。
大多數(shù)被接受的論文將以研究論文的形式發(fā)表，描述重大進(jìn)展和已完成的工作?；仡櫰毡楦信d趣的重要發(fā)展主題的論文可能會(huì)被接受作為評(píng)論論文發(fā)表。更初步的緊急通訊和關(guān)于當(dāng)前感興趣的已完成實(shí)踐工作的簡(jiǎn)短報(bào)告可能會(huì)被考慮作為研究筆記發(fā)表。所有投稿均需經(jīng)過(guò)該領(lǐng)域頂尖專(zhuān)家的同行評(píng)審。
《Microelectronics Reliability》(微電子可靠性)編輯部通訊方式為PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。如果您需要協(xié)助投稿或潤(rùn)稿服務(wù)，您可以咨詢(xún)我們的客服老師。我們專(zhuān)注于期刊咨詢(xún)服務(wù)十年，熟悉發(fā)表政策，可為您提供一對(duì)一投稿指導(dǎo)，避免您在投稿時(shí)頻繁碰壁，節(jié)省您的寶貴時(shí)間，有效提升發(fā)表機(jī)率，確保SCI檢索（檢索不了全額退款）。我們視信譽(yù)為生命，多方面確保文章安全保密，在任何情況下都不會(huì)泄露您的個(gè)人信息或稿件內(nèi)容。
2023年12月升級(jí)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2022年12月升級(jí)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月舊的升級(jí)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月基礎(chǔ)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月升級(jí)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2020年12月舊的升級(jí)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
基礎(chǔ)版：即2019年12月17日，正式發(fā)布的《2019年中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表》；將JCR中所有期刊分為13個(gè)大類(lèi)，期刊范圍只有SCI期刊。
升級(jí)版：即2020年1月13日，正式發(fā)布的《2019年中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表升級(jí)版（試行）》，升級(jí)版采用了改進(jìn)后的指標(biāo)方法體系對(duì)基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進(jìn)，影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素，也沒(méi)有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎(chǔ)版的13個(gè)學(xué)科擴(kuò)展至18個(gè)，科研評(píng)價(jià)將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開(kāi)始，分區(qū)表將只發(fā)布升級(jí)版結(jié)果，不再有基礎(chǔ)版和升級(jí)版之分，基礎(chǔ)版和升級(jí)版（試行）將過(guò)渡共存三年時(shí)間。
JCR分區(qū)等級(jí)：Q3
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 239 / 352 |
32.2% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 113 / 140 |
19.6% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 131 / 179 |
27.1% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 272 / 354 |
23.31% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 114 / 140 |
18.93% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 140 / 179 |
22.07% |
| Gold OA文章占比 | 研究類(lèi)文章占比 | 文章自引率 |
| 14.36% | 98.39% | 0.12... |
| 開(kāi)源占比 | 出版國(guó)人文章占比 | OA被引用占比 |
| 0.06... | - | 0.02... |
名詞解釋?zhuān)?b>JCR分區(qū)在學(xué)術(shù)期刊評(píng)價(jià)、科研成果展示、科研方向引導(dǎo)以及學(xué)術(shù)交流與合作等方面都具有重要的價(jià)值。通過(guò)對(duì)期刊影響因子的精確計(jì)算和細(xì)致劃分，JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學(xué)科領(lǐng)域內(nèi)的相對(duì)位置，從而幫助科研人員準(zhǔn)確識(shí)別出高質(zhì)量的學(xué)術(shù)期刊。
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數(shù) | ||||||||||||||||||||||||||||
| 3.3 | 0.394 | 0.801 |
|
名詞解釋?zhuān)?b>CiteScore是基于Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)的全新期刊評(píng)價(jià)體系。CiteScore 2021 的計(jì)算方式是期刊最近4年（含計(jì)算年度）的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數(shù)據(jù)庫(kù)Scopus，適用于所有連續(xù)出版物，而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過(guò) 26000 種期刊，比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認(rèn)為是影響因子最有力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
歷年中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
歷年IF值(影響因子)
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量
歷年自引數(shù)據(jù)
2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)
| 文章引用名稱(chēng) | 引用次數(shù) |
| Comphy - A compact-physics framework for... | 25 |
| An improved unscented particle filter ap... | 25 |
| Threshold voltage peculiarities and bias... | 21 |
| Identification of oxide defects in semic... | 16 |
| Controversial issues in negative bias te... | 13 |
| An Android mutation malware detection ba... | 13 |
| A review of NBTI mechanisms and models | 12 |
| New dynamic electro-thermo-optical model... | 12 |
| Measurement considerations for evaluatin... | 11 |
| Border traps and bias-temperature instab... | 10 |
2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)
| 被引用期刊名稱(chēng) | 數(shù)量 |
| MICROELECTRON RELIAB | 512 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 235 |
| J MATER SCI-MATER EL | 205 |
| IEEE ACCESS | 197 |
| IEEE T COMP PACK MAN | 120 |
| IEEE T POWER ELECTR | 120 |
| J ELECTRON MATER | 103 |
| J ALLOY COMPD | 101 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 100 |
| ENERGIES | 87 |
2019-2021年引用數(shù)據(jù)
| 引用期刊名稱(chēng) | 數(shù)量 |
| MICROELECTRON RELIAB | 512 |
| IEEE T NUCL SCI | 360 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 270 |
| J APPL PHYS | 142 |
| APPL PHYS LETT | 135 |
| IEEE T POWER ELECTR | 120 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 101 |
| IEEE T COMP PACK MAN | 98 |
| J ELECTRON MATER | 93 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 88 |
中科院分區(qū)：4區(qū)
影響因子：1.5
審稿周期：
中科院分區(qū)：4區(qū)
影響因子：1.5
審稿周期： 12周，或約稿
中科院分區(qū)：4區(qū)
影響因子：0.5
審稿周期：
中科院分區(qū)：4區(qū)
影響因子：2.2
審稿周期： 12周，或約稿
中科院分區(qū)：4區(qū)
影響因子：0.4
審稿周期：
中科院分區(qū)：4區(qū)
影響因子：0.9
審稿周期：
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