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    Solid-state Electronics

    評(píng)價(jià)信息:

    影響因子:1.4

    年發(fā)文量:175

    固態(tài)電子 SCIE

    Solid-state Electronics

    《固態(tài)電子》(Solid-state Electronics)是一本以物理-工程:電子與電氣綜合研究為特色的國(guó)際期刊。該刊由Elsevier Ltd出版商創(chuàng)刊于1960年,刊期Monthly。該刊已被國(guó)際重要權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE收錄。期刊聚焦物理-工程:電子與電氣領(lǐng)域的重點(diǎn)研究和前沿進(jìn)展,及時(shí)刊載和報(bào)道該領(lǐng)域的研究成果,致力于成為該領(lǐng)域同行進(jìn)行快速學(xué)術(shù)交流的信息窗口與平臺(tái)。該刊2023年影響因子為1.4。CiteScore指數(shù)值為3。

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    期刊簡(jiǎn)介預(yù)計(jì)審稿時(shí)間: 一般,3-6周 約9.2周

    It is the aim of this journal to bring together in one publication outstanding papers reporting new and original work in the following areas: (1) applications of solid-state physics and technology to electronics and optoelectronics, including theory and device design; (2) optical, electrical, morphological characterization techniques and parameter extraction of devices; (3) fabrication of semiconductor devices, and also device-related materials growth, measurement and evaluation; (4) the physics and modeling of submicron and nanoscale microelectronic and optoelectronic devices, including processing, measurement, and performance evaluation; (5) applications of numerical methods to the modeling and simulation of solid-state devices and processes; and (6) nanoscale electronic and optoelectronic devices, photovoltaics, sensors, and MEMS based on semiconductor and alternative electronic materials; (7) synthesis and electrooptical properties of materials for novel devices.

    本期刊旨在將以下領(lǐng)域的新穎和原創(chuàng)工作的優(yōu)秀論文匯集到一本出版物中:(1)固體物理和技術(shù)在電子和光電子學(xué)中的應(yīng)用,包括理論和器件設(shè)計(jì);(2)器件的光學(xué)、電學(xué)和形態(tài)表征技術(shù)和參數(shù)提??;(3)半導(dǎo)體器件的制造以及與器件相關(guān)的材料的生長(zhǎng)、測(cè)量和評(píng)估;(4)亞微米和納米級(jí)微電子和光電子器件的物理和建模,包括加工、測(cè)量和性能評(píng)估;(5)數(shù)值方法在固態(tài)器件和過程的建模和仿真中的應(yīng)用;(6)基于半導(dǎo)體和替代電子材料的納米級(jí)電子和光電子器件、光伏、傳感器和 MEMS;(7)新型器件材料的合成和光電特性。

    《Solid-state Electronics》(固態(tài)電子)編輯部通訊方式為PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。如果您需要協(xié)助投稿或潤(rùn)稿服務(wù),您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務(wù)十年,熟悉發(fā)表政策,可為您提供一對(duì)一投稿指導(dǎo),避免您在投稿時(shí)頻繁碰壁,節(jié)省您的寶貴時(shí)間,有效提升發(fā)表機(jī)率,確保SCI檢索(檢索不了全額退款)。我們視信譽(yù)為生命,多方面確保文章安全保密,在任何情況下都不會(huì)泄露您的個(gè)人信息或稿件內(nèi)容。

    中科院分區(qū)

    2023年12月升級(jí)版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    物理與天體物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

    2022年12月升級(jí)版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

    2021年12月舊的升級(jí)版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

    2021年12月基礎(chǔ)版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

    2021年12月升級(jí)版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

    2020年12月舊的升級(jí)版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    物理與天體物理 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
    名詞解釋:

    基礎(chǔ)版:即2019年12月17日,正式發(fā)布的《2019年中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表》;將JCR中所有期刊分為13個(gè)大類,期刊范圍只有SCI期刊。

    升級(jí)版:即2020年1月13日,正式發(fā)布的《2019年中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表升級(jí)版(試行)》,升級(jí)版采用了改進(jìn)后的指標(biāo)方法體系對(duì)基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進(jìn),影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素,也沒有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎(chǔ)版的13個(gè)學(xué)科擴(kuò)展至18個(gè),科研評(píng)價(jià)將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始,分區(qū)表將只發(fā)布升級(jí)版結(jié)果,不再有基礎(chǔ)版和升級(jí)版之分,基礎(chǔ)版和升級(jí)版(試行)將過渡共存三年時(shí)間。

    JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

    JCR分區(qū)等級(jí):Q3

    按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 259 / 352

    26.6%

    學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 138 / 179

    23.2%

    學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 61 / 79

    23.4%

    按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 261 / 354

    26.41%

    學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 133 / 179

    25.98%

    學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 54 / 79

    32.28%

    Gold OA文章占比 研究類文章占比 文章自引率
    18.40% 99.43% 0.05...
    開源占比 出版國(guó)人文章占比 OA被引用占比
    0.08... 0.16 0.01...

    名詞解釋:JCR分區(qū)在學(xué)術(shù)期刊評(píng)價(jià)、科研成果展示、科研方向引導(dǎo)以及學(xué)術(shù)交流與合作等方面都具有重要的價(jià)值。通過對(duì)期刊影響因子的精確計(jì)算和細(xì)致劃分,JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學(xué)科領(lǐng)域內(nèi)的相對(duì)位置,從而幫助科研人員準(zhǔn)確識(shí)別出高質(zhì)量的學(xué)術(shù)期刊。

    CiteScore 指數(shù)(2024年最新版)

    CiteScore SJR SNIP CiteScore 指數(shù)
    3 0.348 0.655
    學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
    大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q3 419 / 797

    47%

    大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q3 245 / 434

    43%

    大類:Engineering 小類:Materials Chemistry Q3 182 / 317

    42%

    大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 169 / 284

    40%

    名詞解釋:CiteScore是基于Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)的全新期刊評(píng)價(jià)體系。CiteScore 2021 的計(jì)算方式是期刊最近4年(含計(jì)算年度)的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數(shù)據(jù)庫(kù)Scopus,適用于所有連續(xù)出版物,而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊,比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認(rèn)為是影響因子最有力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

    數(shù)據(jù)趨勢(shì)圖

    歷年中科院分區(qū)趨勢(shì)圖

    歷年IF值(影響因子)

    歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量

    歷年自引數(shù)據(jù)

    發(fā)文數(shù)據(jù)

    2019-2021年國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)

    國(guó)家/地區(qū) 數(shù)量
    South Korea 131
    CHINA MAINLAND 104
    France 76
    USA 53
    GERMANY (FED REP GER) 36
    India 24
    Spain 21
    England 17
    Belgium 16
    Japan 16

    2019-2021年機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)

    機(jī)構(gòu) 數(shù)量
    CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF... 55
    COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES 38
    UNIVERSITE DE SAVOIE 33
    CEA 32
    SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) 26
    CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 23
    KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY 17
    STMICROELECTRONICS 16
    POHANG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOG... 12
    INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... 11

    2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)

    文章引用名稱 引用次數(shù)
    Lightweight flexible indium-free oxide T... 21
    The photovoltaic impact of atomic layer ... 12
    Current-voltage analytical model and mul... 11
    Low-voltage electric-double-layer MoS2 t... 11
    Effect of defect creation and migration ... 11
    Characterization and modeling of 28-nm F... 10
    Improve the performance of CZTSSe solar ... 10
    A review on terahertz photogalvanic spec... 8
    Multi-layer WSe2 field effect transistor... 8
    SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heter... 7

    2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)

    被引用期刊名稱 數(shù)量
    IEEE T ELECTRON DEV 384
    SOLID STATE ELECTRON 207
    J APPL PHYS 199
    JPN J APPL PHYS 150
    SEMICOND SCI TECH 123
    J MATER SCI-MATER EL 111
    IEEE J ELECTRON DEVI 105
    IEEE ELECTR DEVICE L 96
    APPL PHYS LETT 93
    MATER RES EXPRESS 84

    2019-2021年引用數(shù)據(jù)

    引用期刊名稱 數(shù)量
    IEEE T ELECTRON DEV 431
    IEEE ELECTR DEVICE L 257
    APPL PHYS LETT 248
    SOLID STATE ELECTRON 207
    J APPL PHYS 136
    PHYS REV B 106
    NATURE 58
    SEMICOND SCI TECH 52
    PHYS REV LETT 47
    THIN SOLID FILMS 43

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