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評(píng)價(jià)信息:
影響因子:1.4
年發(fā)文量:175
《固態(tài)電子》(Solid-state Electronics)是一本以物理-工程:電子與電氣綜合研究為特色的國(guó)際期刊。該刊由Elsevier Ltd出版商創(chuàng)刊于1960年,刊期Monthly。該刊已被國(guó)際重要權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE收錄。期刊聚焦物理-工程:電子與電氣領(lǐng)域的重點(diǎn)研究和前沿進(jìn)展,及時(shí)刊載和報(bào)道該領(lǐng)域的研究成果,致力于成為該領(lǐng)域同行進(jìn)行快速學(xué)術(shù)交流的信息窗口與平臺(tái)。該刊2023年影響因子為1.4。CiteScore指數(shù)值為3。
It is the aim of this journal to bring together in one publication outstanding papers reporting new and original work in the following areas: (1) applications of solid-state physics and technology to electronics and optoelectronics, including theory and device design; (2) optical, electrical, morphological characterization techniques and parameter extraction of devices; (3) fabrication of semiconductor devices, and also device-related materials growth, measurement and evaluation; (4) the physics and modeling of submicron and nanoscale microelectronic and optoelectronic devices, including processing, measurement, and performance evaluation; (5) applications of numerical methods to the modeling and simulation of solid-state devices and processes; and (6) nanoscale electronic and optoelectronic devices, photovoltaics, sensors, and MEMS based on semiconductor and alternative electronic materials; (7) synthesis and electrooptical properties of materials for novel devices.
本期刊旨在將以下領(lǐng)域的新穎和原創(chuàng)工作的優(yōu)秀論文匯集到一本出版物中:(1)固體物理和技術(shù)在電子和光電子學(xué)中的應(yīng)用,包括理論和器件設(shè)計(jì);(2)器件的光學(xué)、電學(xué)和形態(tài)表征技術(shù)和參數(shù)提??;(3)半導(dǎo)體器件的制造以及與器件相關(guān)的材料的生長(zhǎng)、測(cè)量和評(píng)估;(4)亞微米和納米級(jí)微電子和光電子器件的物理和建模,包括加工、測(cè)量和性能評(píng)估;(5)數(shù)值方法在固態(tài)器件和過程的建模和仿真中的應(yīng)用;(6)基于半導(dǎo)體和替代電子材料的納米級(jí)電子和光電子器件、光伏、傳感器和 MEMS;(7)新型器件材料的合成和光電特性。
《Solid-state Electronics》(固態(tài)電子)編輯部通訊方式為PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。如果您需要協(xié)助投稿或潤(rùn)稿服務(wù),您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務(wù)十年,熟悉發(fā)表政策,可為您提供一對(duì)一投稿指導(dǎo),避免您在投稿時(shí)頻繁碰壁,節(jié)省您的寶貴時(shí)間,有效提升發(fā)表機(jī)率,確保SCI檢索(檢索不了全額退款)。我們視信譽(yù)為生命,多方面確保文章安全保密,在任何情況下都不會(huì)泄露您的個(gè)人信息或稿件內(nèi)容。
2023年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理與天體物理 | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2022年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理與天體物理 | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理與天體物理 | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理 | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理與天體物理 | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2020年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理與天體物理 | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
基礎(chǔ)版:即2019年12月17日,正式發(fā)布的《2019年中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表》;將JCR中所有期刊分為13個(gè)大類,期刊范圍只有SCI期刊。
升級(jí)版:即2020年1月13日,正式發(fā)布的《2019年中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表升級(jí)版(試行)》,升級(jí)版采用了改進(jìn)后的指標(biāo)方法體系對(duì)基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進(jìn),影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素,也沒有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎(chǔ)版的13個(gè)學(xué)科擴(kuò)展至18個(gè),科研評(píng)價(jià)將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始,分區(qū)表將只發(fā)布升級(jí)版結(jié)果,不再有基礎(chǔ)版和升級(jí)版之分,基礎(chǔ)版和升級(jí)版(試行)將過渡共存三年時(shí)間。
JCR分區(qū)等級(jí):Q3
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 259 / 352 |
26.6% |
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 138 / 179 |
23.2% |
學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q4 | 61 / 79 |
23.4% |
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 261 / 354 |
26.41% |
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 133 / 179 |
25.98% |
學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 54 / 79 |
32.28% |
Gold OA文章占比 | 研究類文章占比 | 文章自引率 |
18.40% | 99.43% | 0.05... |
開源占比 | 出版國(guó)人文章占比 | OA被引用占比 |
0.08... | 0.16 | 0.01... |
名詞解釋:JCR分區(qū)在學(xué)術(shù)期刊評(píng)價(jià)、科研成果展示、科研方向引導(dǎo)以及學(xué)術(shù)交流與合作等方面都具有重要的價(jià)值。通過對(duì)期刊影響因子的精確計(jì)算和細(xì)致劃分,JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學(xué)科領(lǐng)域內(nèi)的相對(duì)位置,從而幫助科研人員準(zhǔn)確識(shí)別出高質(zhì)量的學(xué)術(shù)期刊。
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數(shù) | ||||||||||||||||||||
3 | 0.348 | 0.655 |
|
名詞解釋:CiteScore是基于Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)的全新期刊評(píng)價(jià)體系。CiteScore 2021 的計(jì)算方式是期刊最近4年(含計(jì)算年度)的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數(shù)據(jù)庫(kù)Scopus,適用于所有連續(xù)出版物,而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊,比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認(rèn)為是影響因子最有力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
歷年中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
歷年IF值(影響因子)
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量
歷年自引數(shù)據(jù)
2019-2021年國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
國(guó)家/地區(qū) | 數(shù)量 |
South Korea | 131 |
CHINA MAINLAND | 104 |
France | 76 |
USA | 53 |
GERMANY (FED REP GER) | 36 |
India | 24 |
Spain | 21 |
England | 17 |
Belgium | 16 |
Japan | 16 |
2019-2021年機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF... | 55 |
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES | 38 |
UNIVERSITE DE SAVOIE | 33 |
CEA | 32 |
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) | 26 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 23 |
KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY | 17 |
STMICROELECTRONICS | 16 |
POHANG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOG... | 12 |
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... | 11 |
2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)
文章引用名稱 | 引用次數(shù) |
Lightweight flexible indium-free oxide T... | 21 |
The photovoltaic impact of atomic layer ... | 12 |
Current-voltage analytical model and mul... | 11 |
Low-voltage electric-double-layer MoS2 t... | 11 |
Effect of defect creation and migration ... | 11 |
Characterization and modeling of 28-nm F... | 10 |
Improve the performance of CZTSSe solar ... | 10 |
A review on terahertz photogalvanic spec... | 8 |
Multi-layer WSe2 field effect transistor... | 8 |
SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heter... | 7 |
2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)
被引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
IEEE T ELECTRON DEV | 384 |
SOLID STATE ELECTRON | 207 |
J APPL PHYS | 199 |
JPN J APPL PHYS | 150 |
SEMICOND SCI TECH | 123 |
J MATER SCI-MATER EL | 111 |
IEEE J ELECTRON DEVI | 105 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 96 |
APPL PHYS LETT | 93 |
MATER RES EXPRESS | 84 |
2019-2021年引用數(shù)據(jù)
引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
IEEE T ELECTRON DEV | 431 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 257 |
APPL PHYS LETT | 248 |
SOLID STATE ELECTRON | 207 |
J APPL PHYS | 136 |
PHYS REV B | 106 |
NATURE | 58 |
SEMICOND SCI TECH | 52 |
PHYS REV LETT | 47 |
THIN SOLID FILMS | 43 |
中科院分區(qū):1區(qū)
影響因子:7.7
審稿周期:約Time to first decision: 9 days; Review time: 64 days; Submission to acceptance: 82 days; 約2.7個(gè)月 約7.8周
中科院分區(qū):1區(qū)
影響因子:8.1
審稿周期:約Time to first decision: 6 days; Review time: 44 days; Submission to acceptance: 54 days; 約4.1個(gè)月 約6.8周
中科院分區(qū):3區(qū)
影響因子:3.3
審稿周期:約17.72天 11 Weeks
中科院分區(qū):1區(qū)
影響因子:98.4
審稿周期: 約3月
中科院分區(qū):2區(qū)
影響因子:5.8
審稿周期: 約2.4個(gè)月 約7.6周
中科院分區(qū):2區(qū)
影響因子:5.1
審稿周期: 約1.9個(gè)月 約2.7周
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