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評價(jià)信息：
影響因子：2.3
年發(fā)文量：74
《半導(dǎo)體制造的IEEE交易》(Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing)是一本以工程技術(shù)-工程：電子與電氣綜合研究為特色的國際期刊。該刊由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商創(chuàng)刊于1988年，刊期Quarterly。該刊已被國際重要權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄。期刊聚焦工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域的重點(diǎn)研究和前沿進(jìn)展，及時(shí)刊載和報(bào)道該領(lǐng)域的研究成果，致力于成為該領(lǐng)域同行進(jìn)行快速學(xué)術(shù)交流的信息窗口與平臺。該刊2023年影響因子為2.3。CiteScore指數(shù)值為5.2。
The IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing addresses the challenging problems of manufacturing complex microelectronic components, especially very large scale integrated circuits (VLSI). Manufacturing these products requires precision micropatterning, precise control of materials properties, ultraclean work environments, and complex interactions of chemical, physical, electrical and mechanical processes.
《IEEE 半導(dǎo)體制造學(xué)報(bào)》致力于解決制造復(fù)雜微電子元件（尤其是超大規(guī)模集成電路 (VLSI)）的難題。制造這些產(chǎn)品需要精密微圖案化、精確控制材料特性、超潔凈工作環(huán)境以及化學(xué)、物理、電氣和機(jī)械過程的復(fù)雜相互作用。
《Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing》(半導(dǎo)體制造的IEEE交易)編輯部通訊方式為IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。如果您需要協(xié)助投稿或潤稿服務(wù)，您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務(wù)十年，熟悉發(fā)表政策，可為您提供一對一投稿指導(dǎo)，避免您在投稿時(shí)頻繁碰壁，節(jié)省您的寶貴時(shí)間，有效提升發(fā)表機(jī)率，確保SCI檢索（檢索不了全額退款）。我們視信譽(yù)為生命，多方面確保文章安全保密，在任何情況下都不會泄露您的個(gè)人信息或稿件內(nèi)容。
2023年12月升級版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 | 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2022年12月升級版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月舊的升級版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月基礎(chǔ)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月升級版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2020年12月舊的升級版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 | 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
基礎(chǔ)版：即2019年12月17日，正式發(fā)布的《2019年中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表》；將JCR中所有期刊分為13個(gè)大類,期刊范圍只有SCI期刊。
升級版：即2020年1月13日，正式發(fā)布的《2019年中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表升級版（試行）》,升級版采用了改進(jìn)后的指標(biāo)方法體系對基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進(jìn)，影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素，也沒有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎(chǔ)版的13個(gè)學(xué)科擴(kuò)展至18個(gè)，科研評價(jià)將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始，分區(qū)表將只發(fā)布升級版結(jié)果，不再有基礎(chǔ)版和升級版之分,基礎(chǔ)版和升級版（試行）將過渡共存三年時(shí)間。
JCR分區(qū)等級：Q2
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 175 / 352 |
50.4% |
| 學(xué)科：ENGINEERING, MANUFACTURING | SCIE | Q3 | 41 / 68 |
40.4% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 100 / 179 |
44.4% |
| 學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 45 / 79 |
43.7% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 183 / 354 |
48.45% |
| 學(xué)科：ENGINEERING, MANUFACTURING | SCIE | Q3 | 35 / 68 |
49.26% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 92 / 179 |
48.88% |
| 學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q2 | 33 / 79 |
58.86% |
| Gold OA文章占比 | 研究類文章占比 | 文章自引率 |
| 4.67% | 97.30% | 0.11... |
| 開源占比 | 出版國人文章占比 | OA被引用占比 |
| 0.10... | 0.13 | -- |
名詞解釋：JCR分區(qū)在學(xué)術(shù)期刊評價(jià)、科研成果展示、科研方向引導(dǎo)以及學(xué)術(shù)交流與合作等方面都具有重要的價(jià)值。通過對期刊影響因子的精確計(jì)算和細(xì)致劃分，JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學(xué)科領(lǐng)域內(nèi)的相對位置，從而幫助科研人員準(zhǔn)確識別出高質(zhì)量的學(xué)術(shù)期刊。
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數(shù) | ||||||||||||||||||||
| 5.2 | 0.967 | 1.237 |
|
名詞解釋：CiteScore是基于Scopus數(shù)據(jù)庫的全新期刊評價(jià)體系。CiteScore 2021 的計(jì)算方式是期刊最近4年（含計(jì)算年度）的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數(shù)據(jù)庫Scopus，適用于所有連續(xù)出版物，而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊，比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認(rèn)為是影響因子最有力的競爭對手。
歷年中科院分區(qū)趨勢圖
歷年IF值(影響因子)
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量
歷年自引數(shù)據(jù)
2019-2021年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| USA | 83 |
| South Korea | 40 |
| CHINA MAINLAND | 38 |
| Japan | 29 |
| Taiwan | 25 |
| GERMANY (FED REP GER) | 15 |
| Belgium | 6 |
| India | 6 |
| Netherlands | 6 |
| Singapore | 6 |
2019-2021年機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
| SAMSUNG | 14 |
| GLOBALFOUNDRIES | 11 |
| SAMSUNG ELECTRONICS | 10 |
| KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE & TE... | 8 |
| UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA | 8 |
| INTEL CORPORATION | 7 |
| NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY | 7 |
| SKYWORKS SOLUT INC | 7 |
| ASML HOLDING | 6 |
| IMEC | 6 |
2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)
| 文章引用名稱 | 引用次數(shù) |
| Wafer Map Defect Pattern Classification ... | 41 |
| Classification of Mixed-Type Defect Patt... | 24 |
| Hybrid Particle Swarm Optimization Combi... | 23 |
| Convolutional Neural Network for Wafer S... | 22 |
| AdaBalGAN: An Improved Generative Advers... | 15 |
| A Voting Ensemble Classifier for Wafer M... | 15 |
| Epitaxial beta-Ga2O3 and beta-(AlxGa1-x)... | 15 |
| Decision Tree Ensemble-Based Wafer Map F... | 13 |
| A Data Driven Cycle Time Prediction With... | 12 |
| Deep-Structured Machine Learning Model f... | 12 |
2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)
| 被引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T SEMICONDUCT M | 182 |
| IEEE T AUTOM SCI ENG | 79 |
| IEEE ACCESS | 48 |
| ECS J SOLID STATE SC | 33 |
| COMPUT IND ENG | 24 |
| INT J PROD RES | 20 |
| J MANUF SYST | 17 |
| COMPUT IND | 16 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 16 |
| INT J ADV MANUF TECH | 16 |
2019-2021年引用數(shù)據(jù)
| 引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T SEMICONDUCT M | 182 |
| INT J PROD RES | 33 |
| EXPERT SYST APPL | 30 |
| IEEE T AUTOM SCI ENG | 25 |
| J APPL PHYS | 19 |
| JPN J APPL PHYS | 18 |
| APPL PHYS LETT | 17 |
| J ELECTROCHEM SOC | 16 |
| J MACH LEARN RES | 16 |
| CHEMOMETR INTELL LAB | 15 |
中科院分區(qū)：1區(qū)
影響因子：7.7
審稿周期：約Time to first decision: 9 days; Review time: 64 days; Submission to acceptance: 82 days; 約2.7個(gè)月 約7.8周
中科院分區(qū)：1區(qū)
影響因子：8.1
審稿周期：約Time to first decision: 6 days; Review time: 44 days; Submission to acceptance: 54 days; 約4.1個(gè)月 約6.8周
中科院分區(qū)：3區(qū)
影響因子：3.3
審稿周期：約17.72天 11 Weeks
中科院分區(qū)：1區(qū)
影響因子：98.4
審稿周期： 約3月
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：5.8
審稿周期： 約2.4個(gè)月 約7.6周
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：5.1
審稿周期： 約1.9個(gè)月 約2.7周
若用戶需要出版服務(wù)，請聯(lián)系出版商：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。
