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    Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics

    評價信息:

    影響因子:0.6

    年發(fā)文量:179

    納米電子學(xué)與光電子學(xué)雜志 SCIE

    Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics

    《納米電子學(xué)與光電子學(xué)雜志》(Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics)是一本以工程:電子與電氣-工程技術(shù)綜合研究為特色的國際期刊。該刊由AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS出版商創(chuàng)刊于2006年,刊期Tri-annual。該刊已被國際重要權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄。期刊聚焦工程:電子與電氣-工程技術(shù)領(lǐng)域的重點(diǎn)研究和前沿進(jìn)展,及時刊載和報道該領(lǐng)域的研究成果,致力于成為該領(lǐng)域同行進(jìn)行快速學(xué)術(shù)交流的信息窗口與平臺。該刊2023年影響因子為0.6。

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    期刊簡介預(yù)計審稿時間: 約1.0個月

    JNO is a cross-disciplinary peer-reviewed journal to consolidate all experimental and theoretical research activities in the areas of nanoscale electronic and optoelectronic materials and devices, electronic and optical properties of semiconductors, inorganic, organic, and hybrid nanostructures, electronic applications of superlattices, quantum structures, and other nanostructures, optoelectronic and photonic applications of novel functional materials and nanostructures, nanoelectronic circuits and device integration, nanofabrication, processing and characterization techniques, information processing and optical communications.

    JNO 是一本跨學(xué)科的同行評審期刊,整合了納米級電子和光電子材料和器件、半導(dǎo)體的電子和光學(xué)特性、無機(jī)、有機(jī)和混合納米結(jié)構(gòu)、超晶格的電子應(yīng)用、量子結(jié)構(gòu)和其他納米結(jié)構(gòu)、新型功能材料和納米結(jié)構(gòu)的光電和光子應(yīng)用、納米電子電路和器件集成、納米制造、加工和表征技術(shù)、信息處理和光通信等領(lǐng)域的所有實(shí)驗(yàn)和理論研究活動。

    《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》(納米電子學(xué)與光電子學(xué)雜志)編輯部通訊方式為AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS, 25650 NORTH LEWIS WAY, STEVENSON RANCH, USA, CA, 91381-1439。如果您需要協(xié)助投稿或潤稿服務(wù),您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務(wù)十年,熟悉發(fā)表政策,可為您提供一對一投稿指導(dǎo),避免您在投稿時頻繁碰壁,節(jié)省您的寶貴時間,有效提升發(fā)表機(jī)率,確保SCI檢索(檢索不了全額退款)。我們視信譽(yù)為生命,多方面確保文章安全保密,在任何情況下都不會泄露您的個人信息或稿件內(nèi)容。

    中科院分區(qū)

    2023年12月升級版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

    2022年12月升級版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

    2021年12月舊的升級版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

    2021年12月基礎(chǔ)版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

    2021年12月升級版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

    2020年12月舊的升級版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
    名詞解釋:

    基礎(chǔ)版:即2019年12月17日,正式發(fā)布的《2019年中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報中心期刊分區(qū)表》;將JCR中所有期刊分為13個大類,期刊范圍只有SCI期刊。

    升級版:即2020年1月13日,正式發(fā)布的《2019年中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報中心期刊分區(qū)表升級版(試行)》,升級版采用了改進(jìn)后的指標(biāo)方法體系對基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進(jìn),影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素,也沒有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎(chǔ)版的13個學(xué)科擴(kuò)展至18個,科研評價將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始,分區(qū)表將只發(fā)布升級版結(jié)果,不再有基礎(chǔ)版和升級版之分,基礎(chǔ)版和升級版(試行)將過渡共存三年時間。

    JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

    JCR分區(qū)等級:Q4

    按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 319 / 352

    9.5%

    學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 134 / 140

    4.6%

    學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 171 / 179

    4.7%

    按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 336 / 354

    5.23%

    學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 133 / 140

    5.36%

    學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 175 / 179

    2.51%

    Gold OA文章占比 研究類文章占比 文章自引率
    0.00% 97.77% 0.16...
    開源占比 出版國人文章占比 OA被引用占比
    -- 0.38 --

    名詞解釋:JCR分區(qū)在學(xué)術(shù)期刊評價、科研成果展示、科研方向引導(dǎo)以及學(xué)術(shù)交流與合作等方面都具有重要的價值。通過對期刊影響因子的精確計算和細(xì)致劃分,JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學(xué)科領(lǐng)域內(nèi)的相對位置,從而幫助科研人員準(zhǔn)確識別出高質(zhì)量的學(xué)術(shù)期刊。

    數(shù)據(jù)趨勢圖

    歷年中科院分區(qū)趨勢圖

    歷年IF值(影響因子)

    歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量

    歷年自引數(shù)據(jù)

    發(fā)文數(shù)據(jù)

    2019-2021年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計

    國家/地區(qū) 數(shù)量
    CHINA MAINLAND 322
    India 133
    South Korea 50
    Saudi Arabia 44
    Iran 41
    Egypt 31
    Pakistan 30
    Malaysia 27
    Turkey 26
    Algeria 24

    2019-2021年機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計

    機(jī)構(gòu) 數(shù)量
    NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SY... 47
    ISLAMIC AZAD UNIVERSITY 16
    COMSATS UNIVERSITY ISLAMABAD (CUI) 15
    ZHENGZHOU UNIVERSITY OF LIGHT INDUSTRY 15
    CHONGQING UNIVERSITY 14
    UNIVERSITI TEKNOLOGI MALAYSIA 14
    KING KHALID UNIVERSITY 12
    KING SAUD UNIVERSITY 10
    ASSIUT UNIVERSITY 9
    CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 9

    2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)

    文章引用名稱 引用次數(shù)
    Investigation of Ta/NII-WO3/FTO Structur... 10
    A One Pot Room Temperature Synthesis of ... 9
    Electrical Sensor Based on Hollow ZnO Sp... 8
    Iron Oxide (Fe3O4)-Graphene Oxide (GO) N... 8
    Hydrothermally Grown Copper-Doped ZnO Na... 7
    High UV-to-Visible Rejection Ratio and L... 6
    Effect of the Electrolyte on Capacitive ... 6
    On the Frequency-Voltage Dependence Prof... 6
    Comparative Analysis Among Single Materi... 6
    Flexible Sensors Based on Ag/Polyimide S... 6

    2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)

    被引用期刊名稱 數(shù)量
    J NANOELECTRON OPTOE 106
    J NANOSCI NANOTECHNO 20
    PHYSICA B 18
    J MATER SCI-MATER EL 15
    MATER RES EXPRESS 14
    CERAM INT 13
    OPTIK 13
    SCI ADV MATER 13
    J ALLOY COMPD 10
    APPL PHYS A-MATER 9

    2019-2021年引用數(shù)據(jù)

    引用期刊名稱 數(shù)量
    IEEE T ELECTRON DEV 273
    APPL PHYS LETT 202
    J APPL PHYS 133
    IEEE ELECTR DEVICE L 116
    J NANOELECTRON OPTOE 106
    PHYS REV B 94
    THIN SOLID FILMS 87
    APPL SURF SCI 83
    NANO LETT 81
    SUPERLATTICE MICROST 77

    相關(guān)期刊

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