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    Ieee Journal Of The Electron Devices Society

    評價信息:

    影響因子:2

    年發(fā)文量:92

    IEEE電子器件學(xué)會雜志 SCIE

    Ieee Journal Of The Electron Devices Society

    《IEEE電子器件學(xué)會雜志》(Ieee Journal Of The Electron Devices Society)是一本以Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology綜合研究為特色的國際期刊。該刊由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商創(chuàng)刊于2013年,刊期1 issue/year。該刊已被國際重要權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄。期刊聚焦Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology領(lǐng)域的重點研究和前沿進展,及時刊載和報道該領(lǐng)域的研究成果,致力于成為該領(lǐng)域同行進行快速學(xué)術(shù)交流的信息窗口與平臺。該刊2023年影響因子為2。CiteScore指數(shù)值為5.2。

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    期刊簡介預(yù)計審稿時間: 9 Weeks

    The IEEE Journal of the Electron Devices Society (J-EDS) is an open-access, fully electronic scientific journal publishing papers ranging from fundamental to applied research that are scientifically rigorous and relevant to electron devices. The J-EDS publishes original and significant contributions relating to the theory, modelling, design, performance, and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanodevices, optoelectronics, photovoltaics, power IC's, and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are, also, published. And, occasionally special issues with a collection of papers on particular areas in more depth and breadth are, also, published. J-EDS publishes all papers that are judged to be technically valid and original.

    《IEEE 電子設(shè)備學(xué)會雜志》(J-EDS)是一本開放獲取的全電子科學(xué)期刊,出版從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究的論文,這些論文科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn),與電子設(shè)備相關(guān)。J-EDS 發(fā)表與電子和離子集成電路設(shè)備和互連的理論、建模、設(shè)計、性能和可靠性有關(guān)的原創(chuàng)和重要貢獻,涉及絕緣體、金屬、有機材料、微等離子體、半導(dǎo)體、量子效應(yīng)結(jié)構(gòu)、真空設(shè)備和新興材料,應(yīng)用于生物電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)、計算、通信、顯示器、微機電、成像、微致動器、納米設(shè)備、光電子學(xué)、光伏、電源 IC 和微傳感器。還出版了有關(guān)這些主題的教程和評論論文。有時,還會出版特別版,其中包含有關(guān)特定領(lǐng)域的更深入和更廣泛的論文集。J-EDS 出版所有被判定為技術(shù)上有效和原創(chuàng)的論文。

    《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》(IEEE電子器件學(xué)會雜志)編輯部通訊方式為445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。如果您需要協(xié)助投稿或潤稿服務(wù),您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務(wù)十年,熟悉發(fā)表政策,可為您提供一對一投稿指導(dǎo),避免您在投稿時頻繁碰壁,節(jié)省您的寶貴時間,有效提升發(fā)表機率,確保SCI檢索(檢索不了全額退款)。我們視信譽為生命,多方面確保文章安全保密,在任何情況下都不會泄露您的個人信息或稿件內(nèi)容。

    中科院分區(qū)

    2023年12月升級版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 4區(qū)

    2022年12月升級版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū)

    2021年12月舊的升級版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū)

    2021年12月基礎(chǔ)版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 4區(qū)

    2021年12月升級版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū)

    2020年12月舊的升級版

    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
    工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū)
    名詞解釋:

    基礎(chǔ)版:即2019年12月17日,正式發(fā)布的《2019年中國科學(xué)院文獻情報中心期刊分區(qū)表》;將JCR中所有期刊分為13個大類,期刊范圍只有SCI期刊。

    升級版:即2020年1月13日,正式發(fā)布的《2019年中國科學(xué)院文獻情報中心期刊分區(qū)表升級版(試行)》,升級版采用了改進后的指標(biāo)方法體系對基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進,影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素,也沒有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎(chǔ)版的13個學(xué)科擴展至18個,科研評價將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始,分區(qū)表將只發(fā)布升級版結(jié)果,不再有基礎(chǔ)版和升級版之分,基礎(chǔ)版和升級版(試行)將過渡共存三年時間。

    JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

    JCR分區(qū)等級:Q3

    按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 202 / 352

    42.8%

    按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 179 / 354

    49.58%

    Gold OA文章占比 研究類文章占比 文章自引率
    97.60% 98.91% 0.04...
    開源占比 出版國人文章占比 OA被引用占比
    0.97... 0.21 1

    名詞解釋:JCR分區(qū)在學(xué)術(shù)期刊評價、科研成果展示、科研方向引導(dǎo)以及學(xué)術(shù)交流與合作等方面都具有重要的價值。通過對期刊影響因子的精確計算和細致劃分,JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學(xué)科領(lǐng)域內(nèi)的相對位置,從而幫助科研人員準(zhǔn)確識別出高質(zhì)量的學(xué)術(shù)期刊。

    CiteScore 指數(shù)(2024年最新版)

    CiteScore SJR SNIP CiteScore 指數(shù)
    5.2 0.505 0.955
    學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
    大類:Materials Science 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 90 / 284

    68%

    大類:Materials Science 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 253 / 797

    68%

    大類:Materials Science 小類:Biotechnology Q2 139 / 311

    55%

    名詞解釋:CiteScore是基于Scopus數(shù)據(jù)庫的全新期刊評價體系。CiteScore 2021 的計算方式是期刊最近4年(含計算年度)的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻數(shù)。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數(shù)據(jù)庫Scopus,適用于所有連續(xù)出版物,而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊,比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認(rèn)為是影響因子最有力的競爭對手。

    數(shù)據(jù)趨勢圖

    歷年中科院分區(qū)趨勢圖

    歷年IF值(影響因子)

    歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量

    歷年自引數(shù)據(jù)

    發(fā)文數(shù)據(jù)

    2019-2021年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計

    國家/地區(qū) 數(shù)量
    CHINA MAINLAND 168
    USA 99
    Taiwan 98
    South Korea 74
    Japan 61
    India 40
    France 29
    GERMANY (FED REP GER) 27
    Switzerland 23
    Belgium 20

    2019-2021年機構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計

    機構(gòu) 數(shù)量
    NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 35
    INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... 22
    CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 20
    ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE 18
    NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY 17
    UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHN... 17
    NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY 15
    SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) 15
    SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 15
    PEKING UNIVERSITY 14

    2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)

    文章引用名稱 引用次數(shù)
    FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire F... 21
    Characterization and Compact Modeling of... 19
    Characterization and Modeling of 28-nm B... 14
    Cryogenic Temperature Characterization o... 11
    Hysteresis Reduction in Negative Capacit... 11
    Tunneling Transistors Based on MoS2/MoTe... 11
    Direct Correlation of Ferroelectric Prop... 10
    Ferroelectric HfO2 Tunnel Junction Memor... 10
    Development and Fabrication of AlGaInP-B... 10
    Experimental Investigations of State-of-... 10

    2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)

    被引用期刊名稱 數(shù)量
    IEEE T ELECTRON DEV 140
    IEEE J ELECTRON DEVI 75
    IEEE ELECTR DEVICE L 59
    SEMICOND SCI TECH 36
    IEEE ACCESS 29
    JPN J APPL PHYS 27
    SOLID STATE ELECTRON 22
    APPL PHYS LETT 20
    MICROMACHINES-BASEL 20
    J APPL PHYS 18

    2019-2021年引用數(shù)據(jù)

    引用期刊名稱 數(shù)量
    IEEE T ELECTRON DEV 499
    IEEE ELECTR DEVICE L 445
    APPL PHYS LETT 311
    J APPL PHYS 180
    SOLID STATE ELECTRON 105
    IEEE J ELECTRON DEVI 75
    JPN J APPL PHYS 73
    NANO LETT 64
    IEEE J SOLID-ST CIRC 58
    NATURE 53

    相關(guān)期刊

    免責(zé)聲明

    若用戶需要出版服務(wù),請聯(lián)系出版商:445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。